Установка, настройка и разгон оперативной памяти

Agp aperture memory size

Гипотетическое преимущество интерфейса AGP относительно PCI, если не учитывать схему синхронизации, состоит в том, что он позволяет использовать системное ОЗУ как часть унифицированной архитектуры (UMA — Unified Memory Architecture) для хранения данных, применяя ранее упоминавшийся режим DiME. Графический адаптер может получать доступ к данным и работать с ними прямо в системной памяти, минуя собственную локальную память.

Эта особенность требует отведения четко заданного объема системного ОЗУ для использования под операции с графическими данными. По мере увеличения объема локальной видеопамяти графического контроллера, данная особенность резервирования части системной памяти, понятно, теряет собственную релевантность, в результате чего существует несколько рекомендаций по использованию объема отводимого участка основной памяти.

Вообще, апертура является частью диапазона адресного пространства системного ОЗУ, отведенного под графическую память. Ведущие циклы, подпадающие под этот диапазон апертуры, пересылаются к интерфейсу AGP без необходимости трансляции. Размер апертуры AGP определяется, как максимально используемая AGP память, умноженная на два (х2)

, плюс 12MB — это значит, что размер используемой памяти AGP составляет менее половины размера апертуры AGP. Данное обстоятельство объясняется тем, что система требует не кэшированную память AGP, плюс аналогичную по объему область памяти для комбинированной записи и дополнительные 12MB для виртуальной адресации.

Физическая память освобождается по необходимости только когда API (программный слой) делает соответствующий запрос создания нелокальной поверхности (Create Non-local Surface). Операционные системы Windows 9х, например, используют эффект «водопада» (Waterfall Effect), когда поверхности сначала создаются в локальной памяти, а в случае ее заполнения, процесс создания поверхности передается в AGP память, а затем — в системную.

Однозначно дать схему определения оптимального размера апертуры очень сложно. Тем не менее, оптимум резервирования истемного ОЗУ может определяться следующей формулой: общий объем системного ОЗУ/(объем видео ОЗУ/2). Например, для видеоадаптера с 16MB видеопамяти в ПК со 128MB системного ОЗУ апертура AGP составит 128/(16/2)

=16MB, а для видеоадаптера с 64MB видеопамяти в ПК с 256MB системного ОЗУ — 256/(64/2)=8MB. Данное решение является своего рода аппроксимацией — реально в любом случае рекомендуется отводить под апертуру не менее 16MB. Необходимо также помнить, что размер апертуры (по схеме 2N, или выбор между 32/64 MB) прямо не соответствует получаемой в результате производительности, поэтому увеличивая его до огромных пропорций, производительность не улучшиться.

В настоящее время, при среднем объеме системного ОЗУ 128—256 MB, практическим правилом считается иметь размер апертуры AGP от 64MB до 128MB. Превышая 128MB «барьер», производительность не ухудшается, но все равно лучше придерживаться «стандартных» 64—128 MB, чтобы размер таблицы GART не был слишком большой.

Другой «лобовой» рекомендацией, являющейся скорее результатом множественных практических экспериментов, может быть отведение под AGP Aperture Memory Size половины объема системного ОЗУ с учетом возможности BIOS: 8/16/32/64/128/256 MB (схема с шагом 2N) или выбор между 32/64 MB. Однако в системах с небольшим (до 64MB) и с большим (от 256 и более)

Auto configuration

Этот пункт в настройке является, пожалуй, основным, однако встречается не в каждой системе — точнее сказать, на всех материнских платах для 486-совместимых процессоров и на большей части Pentium-совместимых материнских плат. Он определяет возможность изменений в настройках подсистемы памяти типа FPM DRAM и EDO DRAM, указывая длительность цикла обращения (минимальный промежуток времени в течение которого можно выполнить циклическое обращение по произвольный адресам) к данным:

Предлагаем ознакомиться  «Установка Windows на данный диск невозможна…» — Что делать?

60ns (оптимизировано для микросхем памяти с временем доступа 60ns), 70ns (оптимизировано для микросхем памяти с циклом доступа 70ns) и Disable (в данном случае разрешить «ручную» настройку имеющихся параметров подсистемы памяти). При асинхронной передаче данных гарантируется, что определенная операция будет полностью осуществлена за фиксированный промежуток времени, поскольку в данном случае функционирование памяти не привязывается к частоте системной шины.

Поэтому, если данные появляются сразу за фронтом системного синхросигнала, то они будут считаны лишь по приходу следующего фронта тактового импульса. Значения 60/70 ns данного пункта указывают системе, что надо использовать предустановки, занесенные производителем материнской платы заранее, которые обеспечивают стабильную работу памяти, исходя из установленной длительности цикла доступа.

Dram read timing

Параметр, характеризующий скорость чтения данных из массива памяти. Сам массив представляет собой некое подобие координатной сетки, где есть положение по горизонтали (адрес строки) и по вертикали (адрес столбца). Упрощенно, на пересечении каждого конкретного адреса строки и столбца находится единичный «строительный элемент» массива — ячейка памяти, которая представляет собой ключ (транзистор) и запоминающий элемент (конденсатор). Логическое состояние ячейки (физически — заряд в конденсаторе) представляется довольно просто: есть заряд — «1», нет заряда — «0».

Для чтения содержимого из одной ячейки памяти в самом простом случае необходимо пять тактов. Сначала на шину выставляется адрес строки (первая половина полного адреса ячейки памяти). Затем подается строб RAS# (Row Address Srobe), который является своего рода контрольным сигналом (защелка адреса строки), подтверждающим полученный адрес строки для записи в специально отведенное место — регистр микросхемы памяти.

После этого передается адрес столбца (вторая половина полного адреса ячейки памяти), следующим тактом за которым идет сигнал подтверждения принимаемого адреса (защелка адреса столбца) — CAS# (Column Address Strobe). И, наконец, следует операция чтения из ячейки памяти, контролируемая сигналом разрешения записи — WE# (Write Enable).

Однако если считываются соседние ячейки, то нет надобности передавать каждый раз адрес строки или столбца, и процессор «считает», что необходимые данные расположены по соседству. Поэтому на считывание каждой последующей ячейки понадобится уже три такта системной шины. Отсюда и берет свое начало существование определенных схем функционирования (тайминги, в широком смысле этого понятия, обычно означающего временной параметр) конкретного фундаментального типа ОЗУ: xyyy-yyyy-…, где x — количество тактов шины, необходимое для чтение первого бита, а у — для всех последующих.

Так, цикл доступа процессора к памяти состоит из двух фаз: запроса (Request) и ответа (Response). Фаза запроса состоит из трех действий: подача адреса, подача запроса на чтение и подтверждение (необязательно). В фазу ответа входит выдача запрашиваемых данных и подтверждение приема. Довольно часто происходит чтение четырех смежных (соседних) ячеек, поэтому многие типы памяти специально оптимизированы для данного режима работы, и в сравнительных характеристиках быстродействия обычно приводится только количество циклов, необходимое для чтения первых четырех ячеек.

В данном случае речь идет о пакетной передаче, которая подразумевает подачу одного начального адреса и дальнейшую выборку по ячейкам в установленном порядке — такого рода трансфер улучшает скорость доступа к участкам памяти с заранее определенными последовательными адресами. Понятно, что в случае необходимости чтения данных с непоследовательного адреса в «цепочке» пакетной передачи возникает разрыв и первый бит следующего произвольного обращения (адреса) считается со стандартным пятитактным доступом, описаваемым выше.

Предлагаем ознакомиться  Как прошить BIOS ASUS (ASUS EZ Flash 2)

Например, для памяти типа FPM DRAM применяется схема 5333-3333-…, в отличие от первой разновидности динамического ОЗУ, где применялась самая простая — 5555-5555-… Для памяти EDO DRAM после первого считывания блока данных увеличивается время доступности данных того ряда, к которому происходит доступ в настоящий момент, при этом уменьшается время получения пакета данных, т.к. схема доступа уже 5222-2222-… Синхронное ДОЗУ типа SDRAM, в отличие от асинхронного (FPM и EDO), «свободно» от передачи в процессор сигнала подтверждения и выдает/принимает данные в строго определенные моменты времени (только совместно с сигналом синхронизации системной шины), что исключает несогласованность между отдельными компонентами, упрощает систему управления и дает возможность перейти на более «короткую» схему работы:

Поэтому в рассматриваемом пункте меню настройки можно встретить варианты допустимых значений для циклов обращения к памяти: x333 или x444 оптимально подходит для FPM DRAM, x222 или x333 — для EDO DRAM, и x111 или x222 — для BEDO DRAM (и SDRAM). Варьируя эти параметры и стараясь использовать более короткую диаграмму для конкретного типа памяти, можно добиться некоторого повышения производительности.

Sdram ma wait state

Для систем на основе синхронного ДОЗУ контроллеру памяти необходимо послать несколько сигналов доступа, чтобы выполнить полную фазу обращения к конкретной микросхеме памяти: CS# (выбор кристалла), MA (адрес памяти), WE# (разрешение записи) RAS# (строб подтверждения адреса строки) и CAS# (строб подтверждения адреса столбца).

Так, все адресные линии, идущие от контроллера памяти к подсистеме, соединяются со всеми микросхемами памяти на всех модулях, что обуславливает значительную (в зависимости от общего количества микросхем) логическую нагрузку для контролера, который должен посылать правильный конечный адрес всем микросхемам в составе модуля(ей).

Поэтому рекомендуется соблюдение 1—2-тактного опережения адресной и другой специфической информации до подачи сигнала CS#. В результате дается возможность подавать адрес и другие специфические командные сигналы с 0- (Fast, не включает никакого состояния ожидания перед подачей сигнала CS#), 1- (Normal, один такт опережения команды выбора кристалла) или 2- (Slow, опережение команды выбора кристалла в 2Т) тактным опережением сигнала выбора кристалла.

Таким образом, если модуль памяти содержит, например, всего 4 или 8 микросхем, то в этом случае рекомендовано значение Fast. Если модуль памяти имеет 16 или 18 устройств, то для него подойдет однотактное опережение. Если более 18 микросхем памяти (Registered DIMM) — 2T. В сложных конфигурациях подсистемы с использованием нескольких модулей с разной логической и физической организацией необходим более глубокий практический анализ.

Инструкция

1. Метаморфоза настроек оперативной памяти происходит путем установки соответствующих значений в программу настройки BIOS c дальнейшим их сохранением. Зачастую установка режима работы оперативной памяти по умолчанию обозначает стабильную работу системы. Но в некоторых случаях требуется повысить скорость работы системы, для этого и делают настройку оперативной памяти в BIOS Setup. Это абсолютно реально и обыкновенно никак не сказывается на устойчивости работы компьютера.

2. Дабы начать настраивать оперативную память, сначала зайдите в BIOS Setup. Обыкновенно это осуществляется нажатием кнопки Delete, для BIOS других изготовителей может понадобиться нажатие иной клавиши либо сочетания клавиш, скажем, F2 либо CTRL-ALT-ESC.

3. Все надобные параметры, которые руководят режимами работы памяти, сконцентрированы в меню BIOS Setup, называемом Advanced Chipset Setup. Зайдите в него, дабы настроить параметры оперативной памяти. Все необходимые параметры указаны ниже.

4. Auto Configuration – механическая установка параметров работы оперативной памяти, рекомендуется применять если в процессе экспериментов была внесена некорректная настройка, но припомнить какая не получается. Для внесения коррекции в настройки RAM (оперативной памяти) отключите данную опцию.

Предлагаем ознакомиться  Как добавить оперативной памяти в компьютер

5. При настройке знайте меру – слишком враждебное снижение циклов (таймингов) и задержек может отрицательно сказаться на устойчивости работы компьютера, следственно отличнее для экспериментов выбирать добротную память с резервом по скорости работы. Позже окончания процесса метаморфозы конфигурации памяти не позабудьте сберечь настройки в BIOS Setup. Позже этого дозволено перезагрузить компьютер.

При настройке параметров работы оперативной памяти надобно рассматривать довольно много параметров. Неверное метаморфоза определенных пунктов может привести к порче некоторых планок ОЗУ.

Вам понадобится

Как включить двухканальный режим оперативной памяти

После всего прочитанного в этой статье, уверен, вам захотелось узнать, как включить двухканальный режим работы оперативной памяти на своем компьютере. Для активации двухканального режима необходимо выполнение следующих условий:

  1. Поддержка контроллером памяти двухканального режима работы ОЗУ;
  2. Наличие двух и более плашек оперативной памяти одного поколения;
  3. Наличие двух слотов для установки ОЗУ;
  4. Идентичность типов обоих плашек памяти (с ECC или без);
  5. (опционально) Идентичность характеристик плашек оперативной памяти (тактовой частоты, таймингов, кол-ва рангов, производителя чипов памяти и др.).

Чтобы активировать двухканальный режим оперативной памяти, нужно вставить минимум 2 плашки ОЗУ в разные слоты материнской платы (если слотов больше, чем 2, то они должны быть 1 цвета). В большинстве случаев больше ничего делать не нужно, двухканальный режим работы ОЗУ активируется самостоятельно.

Однако иногда пользователю вручную приходится активировать в БИОС функцию “Dual Channel”. Также существует вероятность, что ПК вообще откажется стартовать. Такое случается при использовании разных плашек памяти. В этом случае можно попробовать отключить некоторые функции для ОЗУ в БИОС и/или изменять частоту и тайминги, загрузившись с 1 плашкой.

Проверить, активировался ли двухканальный режим работы оперативной памяти, можно в специализированном софте (например, в CPU-Z или Aida64).

Видно, что двухканальный режим работы оперативной памяти активирован

Способ первый: award bios

А начнем мы с того, что расскажем, как настроить оперативную память в БИОСе Award. Этот вид CMOS отличается раздельным экранном, поделенным на две части. В левой – стандартные настройки, а в правом – расширенные. задействовать мы будем и те и другие. Ну, долго не разглагольствуя, перейдем к самой инструкции по настройке.

  • Войдя в БИОС Award, нажмите сочетание клавиш Ctrl F, чтобы получить доступ к расширенной настройке.
  • Используя стрелочки на клавиатуре, выделите строку «MB Intelligent Tweaker».
  • Нажмите клавишу Enter для входа в меню настроек этого параметра.
  • Здесь вы можете увеличить или, наоборот, уменьшить тактовую частоту своей оперативной памяти. Делается это путем изменения параметра «System Memory Multiplier». Однако учтите, что изменять показатель до максимального значения нельзя, это может привести как к сбоям в работе компонента, так и вовсе к полной его поломке. Желательно выбирать значение чуть больше изначально указанного.
  • Здесь же вы можете изменить напряжение подаваемого тока на ОЗУ, делается это в нижней части экрана. Но и тут есть ограничения, крайне не рекомендуется менять его более чем на 0,15 В.
  • Вернитесь в главное меню, нажав Esc.
  • Выберите пункт «Advanced Chipset Features» и перейдите в него.
  • Здесь вам позволят поменять время отклика ОЗУ. Для начала измените пункт «DRAM Timing Selectable» на «Manual», а затем приступайте к смене значений.
  • На этом настройку можно считать оконченной, нажмите F10 для сохранения всех изменений и выйдите из БИОСа.

    Оцените статью
    Техничка
    Adblock detector